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      KCI등재 SCI SCIE SCOPUS

      Light Extraction Efficiency of GaN-based LEDs with Non-periodic and Periodic Sub-wavelength Structures

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      https://www.riss.kr/link?id=A104324793

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Antireflective non-periodic and periodic sub- wavelength structures (SWS) are fabricated on indium tin oxide (ITO) layers deposited on p-GaN layers of GaN-based green light-emitting diodes (LEDs). The light output powers of LEDs using non-periodic and...

      Antireflective non-periodic and periodic sub- wavelength structures (SWS) are fabricated on indium tin oxide (ITO) layers deposited on p-GaN layers of GaN-based green light-emitting diodes (LEDs). The light output powers of LEDs using non-periodic and periodic SWS are increased by 18% and 39% at 20 mA of input current, respectively, compared to LEDs with flat ITO layers. Periodic ITO SWS show a larger enhancement of output power because they have more effective profiles of graded refractive index. The output power of periodic SWS LEDs is improved in all angular directions, indicating that the improved output power is attributed to lower total internal reflection and Fresnel reflection.

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      참고문헌 (Reference)

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