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1995년
dut
0022-0248
1873-5002
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
311-316 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
Molecular beam epitaxy
8th International conference
Toyonaka; Japan
1994; Aug
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Twenty years of molecular beam epitaxy
Less than 10 defects/cm^2 �� in molecular beam epitaxy grown GaAs by arsenic cracking