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      Electrical behavior of amorphous indiumegalliumezinc oxide thin film transistors by embedding Au nanoparticles in the channel layer

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      https://www.riss.kr/link?id=A104204398

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      We reported the effects on the electrical behavior of amorphous indiumegalliumezinc oxide (a-IGZO) thin film transistors (TFTs) after introducing various positions and sizes of Au nanoparticles (NPs) in the channel layer. These TFTs showed an off-current increase and threshold voltage (Vth) shift compared to conventional a-IGZO TFTs. The effects of Au NPs are explained to form the carrier conduction path which causes the current leakage in the channel layer, and act as either electron injection sites or trap sites.
      Therefore, this study demonstrates that the optimized control of size and position of Au NPs in the channel layer is crucial for its application in the electrical stability improvement and Vth control of a- IGZO TFTs.
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      We reported the effects on the electrical behavior of amorphous indiumegalliumezinc oxide (a-IGZO) thin film transistors (TFTs) after introducing various positions and sizes of Au nanoparticles (NPs) in the channel layer. These TFTs showed an off-curr...

      We reported the effects on the electrical behavior of amorphous indiumegalliumezinc oxide (a-IGZO) thin film transistors (TFTs) after introducing various positions and sizes of Au nanoparticles (NPs) in the channel layer. These TFTs showed an off-current increase and threshold voltage (Vth) shift compared to conventional a-IGZO TFTs. The effects of Au NPs are explained to form the carrier conduction path which causes the current leakage in the channel layer, and act as either electron injection sites or trap sites.
      Therefore, this study demonstrates that the optimized control of size and position of Au NPs in the channel layer is crucial for its application in the electrical stability improvement and Vth control of a- IGZO TFTs.

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      참고문헌 (Reference)

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      10 J. S. Park, 96 : 262109-, 2010

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      11 B. Cho, 102 : 102108-, 2013

      12 M. -C. Daniel, 104 : 293-346, 2004

      13 Y. Shimura, 516 : 5899-5902, 2008

      14 B. Ryu, 97 : 022108-, 2010

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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 1.8 0.18 1.17
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.92 0.77 0.297 0.1
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