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Fully Working 1.10mum^2 Embedded 6T-SRAM Technology with High-k Gate Dielectric Device for Ultra Low Power Applications
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저자
Ryu, H.-J. ; Chung, W.-Y. ; Jang, Y.-J. ; Lee, Y.-J. ; Jung, H.-S. ; Oh, C.-B. ; Kang, H.-S. ; Kim, Y.-W.
- 발행기관
- 학술지명
- 권호사항
-
발행연도
2004년
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작성언어
eng
-
Print ISSN
0743-1562
-
Online ISSN
2158-9682
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자료형태
학술저널
-
원정보자원
SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY
-
수록면
38-39 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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