X선 광전자 분광방법(XPS)에 의하여 CdTe의 절개된 (110) 표면과 스퍼터링된 표면을 산소에 노출시키면서 CdTe 표면의 산화과정의 초기단계에 대하여 고찰하였다. Te 3d_(5/2), Cd 3d_(5/2), O 1s, Cd MNN 오...
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1992
Korean
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
학술저널
50-59(10쪽)
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다운로드국문 초록 (Abstract)
X선 광전자 분광방법(XPS)에 의하여 CdTe의 절개된 (110) 표면과 스퍼터링된 표면을 산소에 노출시키면서 CdTe 표면의 산화과정의 초기단계에 대하여 고찰하였다. Te 3d_(5/2), Cd 3d_(5/2), O 1s, Cd MNN 오...
X선 광전자 분광방법(XPS)에 의하여 CdTe의 절개된 (110) 표면과 스퍼터링된 표면을 산소에 노출시키면서 CdTe 표면의 산화과정의 초기단계에 대하여 고찰하였다. Te 3d_(5/2), Cd 3d_(5/2), O 1s, Cd MNN 오제 스펙트럼 등의 분석으로부터 산화의 초기단계에서 산소원자 두 개가 Te 원자 한 개에 결합하고 있음을 보았다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
By means of X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), the initial stages of the oxidation of the cleaved CdTe (110) surface and the sputtered CdTe surface with oxygen exposure are invetigated. From the analyses of the spectra of Te 3d_(5/2), Cd 3d_(5/2),...
By means of X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), the initial stages of the oxidation of the cleaved CdTe (110) surface and the sputtered CdTe surface with oxygen exposure are invetigated. From the analyses of the spectra of Te 3d_(5/2), Cd 3d_(5/2), O 1s and Cd MNN Auger lines, it is shown that two oxygen atoms bond to one Te atom at the initial stages.
목차 (Table of Contents)
Dichlorosilane Gas를 이용한 High Temperature Oxide Thin Film의 특성
통계적 실험계획법을 이용한 SOG 평탄화 공정의 최적화
텅스텐 선으로 만든 porous plug의 conductance