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      Study of Electrostatics and Transport Properties of Multigate Graded Nanowire Channel MOSFETs

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      • 저자
      • 발행기관
      • 학술지명
      • 권호사항
      • 발행연도

        2016년

      • 작성언어

        eng

      • Print ISSN

        1938-5862

      • Online ISSN

        1938-6737

      • 자료형태

        학술저널

      • 원정보자원

        ECS transactions

      • 수록면

        325-334   [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]

      • 회의자료명

        Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications (International symposium)

      • 회의장소

        San Diego, CA

      • 회의날짜

        May 2016

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