Y-Ba-Cu-O계 고온 초전도체를 소결, 소결+HIP encapsulation방법으로 각각 제작하였다. 소결은 900.deg.C~960.deg.C에서 하였으며 소결시편의 일부는 HIP처리 하였는데 이때 HIP조건은 150MPa Ar압력에서 800.de...
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1990
Korean
학술저널
215-223(9쪽)
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Y-Ba-Cu-O계 고온 초전도체를 소결, 소결+HIP encapsulation방법으로 각각 제작하였다. 소결은 900.deg.C~960.deg.C에서 하였으며 소결시편의 일부는 HIP처리 하였는데 이때 HIP조건은 150MPa Ar압력에서 800.de...
Y-Ba-Cu-O계 고온 초전도체를 소결, 소결+HIP encapsulation방법으로 각각 제작하였다. 소결은 900.deg.C~960.deg.C에서 하였으며 소결시편의 일부는 HIP처리 하였는데 이때 HIP조건은 150MPa Ar압력에서 800.deg.C, 30min이었다. HIP시편의 상대밀도는 90%~93%의 밀도를 갖는 소결시편보다 5%~8% 증가하였다. 열처리 조건에 따른 x-ray 회절분석은 사방정-정방정 상변태를 보여주었다. 임계온도(Tc)는 91.deg.k 에서 전기비정항이 급격히 감소하기 시작하여 89.deg.k에서 완전히 0이 되었으며 전이폭은 3.deg.k내로 매우 좁았다. 임계전류밀도(Jc)는 소결시편의 경우 전형적인 ~159A/$cm^{2}$의 값을 보였으나 HIP처리 후 ~89A/$cm^{2}$로 감소했기 때문이라 생각하였다. 경도와 인성은 각각 38GPa과 2.9MPam$^{1}$2/로 증가하였다.
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