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1988년
eng
0021-8979
1089-7550
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
Journal of Applied Physics
1168-1176 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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EFFECTS OF SUBSTRATE-TEMPERATURE ON GAAS TUNNELING DIODES GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GA0.5IN0.5P/GAAS INTERFACES BY ORGANOMETALLIC VAPOR-PHASE EPITAXY