CAICISS장치를 이용하여 Si(001) surface에서 dimer 원자들의 geometric structure를 분석하였다. 결과, Si(001) surface에서 dimer atom은 확실히 buckled 되어 있음을 확인하였고, asymmetry (2×1)구조와 c(4×2)구조가 ...
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국문 초록 (Abstract)
CAICISS장치를 이용하여 Si(001) surface에서 dimer 원자들의 geometric structure를 분석하였다. 결과, Si(001) surface에서 dimer atom은 확실히 buckled 되어 있음을 확인하였고, asymmetry (2×1)구조와 c(4×2)구조가 ...
CAICISS장치를 이용하여 Si(001) surface에서 dimer 원자들의 geometric structure를 분석하였다. 결과, Si(001) surface에서 dimer atom은 확실히 buckled 되어 있음을 확인하였고, asymmetry (2×1)구조와 c(4×2)구조가 공존하고 있음을 밝혀 내었다. 그리고, dimer 원자의 bond length는 2.35±0.05A˚이고, buckling angle은 17.8±1°였다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
The geometric structure of dimer atoms on clean Si(001) surface is studied using CAICISS. We confirmed that dimer atoms are certainly buckled, and also found that asymmetry (2×1) and c(4×2) are coexisted. The cond length and the buckling angle of di...
The geometric structure of dimer atoms on clean Si(001) surface is studied using CAICISS. We confirmed that dimer atoms are certainly buckled, and also found that asymmetry (2×1) and c(4×2) are coexisted. The cond length and the buckling angle of dimer atom measured by CAICISS system were 2.35±0.05A˚ and 17.±1°, respectively.
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