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      A wideband switchable absorber/reflector based on active frequency selective surface

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      https://www.riss.kr/link?id=O105063074

      • 저자
      • 발행기관
      • 학술지명
      • 권호사항
      • 발행연도

        2021년

      • 작성언어

        -

      • Print ISSN

        1096-4290

      • Online ISSN

        1099-047X

      • 등재정보

        SCOPUS;SCIE

      • 자료형태

        학술저널

      • 수록면

        n/a-n/a   [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      A wide‐band absorber and reflector using PIN diodes based on active frequency selective surface (AFSS) is presented, which the AFSS is performed as a wide‐band absorber and reflector with OFF and ON state diodes. By changing the states of the PIN ...

      A wide‐band absorber and reflector using PIN diodes based on active frequency selective surface (AFSS) is presented, which the AFSS is performed as a wide‐band absorber and reflector with OFF and ON state diodes. By changing the states of the PIN diodes, the measured reflectivity of the structure can dynamically switch from reflection to less than −10 dB absorptivity ranging from 7.5 to 18 GHz under normal incidence. The unique characteristic of the proposed structure lies in its capability to switch between two working states. In addition, the bandwidth of the designed structure covers a wider band compared with earlier switchable absorber/reflector structures. The fabricated structure shows good agreement with the simulated results.

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