RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      KCI등재

      플래시 기반 휴대용 미디어 기기들을 위한 작은 순차 참조 집합을 고려한 효율적인 버퍼 관리 기법 = An Efficient Buffer Management Scheme Considering Small Sequential Reference Set for Flash based Portable Media Devices

      한글로보기

      https://www.riss.kr/link?id=A104302391

      • 0

        상세조회
      • 0

        다운로드
      서지정보 열기
      • 내보내기
      • 내책장담기
      • 공유하기
      • 오류접수

      부가정보

      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      NAND flash memory replaces disk-based storage devices because of its fast access speed, low power consumption, shock resistance and etc. However, unlike disk-based storage devices, NAND flash memory has distinct characteristics such as asymmetric read...

      NAND flash memory replaces disk-based storage devices because of its fast access speed, low power consumption, shock resistance and etc. However, unlike disk-based storage devices, NAND flash memory has distinct characteristics such as asymmetric read, write and erase operation speed and no in-place update. Thus, disk-based buffer management schemes may not yield a good performance on flash-based storage system. In order to solve this problem, various flash-aware buffer management schemes which consider the characteristics of NAND flash memory have been proposed. FAB is one of the buffer management scheme for portable media devices based on NAND flash memory. However, this scheme may make a low buffer hit ratio because metadata are not efficiently managed in the buffer. In this paper, we propose a novel buffer management scheme that improves performance by managing the metadata efficiently. In the proposed scheme,hot-pages are managed by separated list so that the buffer hit ratio is improved. We also minimize the erase operations by reordering the I/O requests to NAND flash memory.

      더보기

      국문 초록 (Abstract)

      NAND 플래시 메모리는 빠른 접근속도, 저 전력 소모, 높은 내구성 등의 특성으로 디스크기반의 저장장치를대체하고 있다. 그러나 디스크 기반의 저장장치와는 달리 플래시 메모리는 비대칭적...

      NAND 플래시 메모리는 빠른 접근속도, 저 전력 소모, 높은 내구성 등의 특성으로 디스크기반의 저장장치를대체하고 있다. 그러나 디스크 기반의 저장장치와는 달리 플래시 메모리는 비대칭적인 읽기, 쓰기, 소거연산속도를 가지고 있고 제자리 갱신이 불가능 하여 디스크 기반의 버퍼 관리 전략은 플래시 메모리 기반 저장시스템 상에서 효과적인 성능을 보이지 못할 수 있다. 이러한 문제들을 해결하기 위하여 다양한 플래시 기반버퍼 관리 전략이 제안되어 왔다. FAB은 NAND 플래시 메모리 기반의 휴대용 미디어 기기를 위한 버퍼 관리전략 중 하나이다. 그러나 이 전략은 메타데이터를 버퍼에서 효율적으로 관리하지 못해 버퍼 적중률이 떨어질수 있다. 본 논문은 메타데이터를 효율적으로 관리하여 성능을 향상시킨 새로운 버퍼 관리 전략을 제시한다.
      본 논문에서 제안하는 전략은 핫페이지들을 별도의 리스트에서 관리하여 버퍼 적중률을 향상시켰고, 플래시에 요청되는 연산들의 순서를 재정렬 하여 소거연산을 최소화 하였다.

      더보기

      참고문헌 (Reference)

      1 김상현, "SLBFTL을 이용한 임베디드 DBMS에서의 효율적인 저장소" 한국정보과학회 25 (25): 3-22, 2009

      2 Sang-Won Lee, "Log Buffer based Flash Translation Layer using Fully Associative Sector Translation" 6 : 436-453, 2007

      3 Song Jiang, "LIRS: an efficient low inter-reference recency set replacement policy to improve buffer cache performance" 31-42, 2002

      4 Hoyoung Jung, "LIRS-WSR: Integration of LIRS and writes sequence reordering for flash memory" 4705 : 224-237, 2007

      5 Heeseung Jo, "FAB: flash-aware buffer management policy for portable media players" 52 (52): 485-493, 2006

      6 Seon-Yeong Park, "CFLRU: a replacement algorithm for flash memory" 234-241, 2006

      7 A. Dan, "An Approximate Analysis of the LRU and FIFO Buffer Replacement Schemes" 143-152, 1990

      8 Tae-Sun Chung, "A Survey of Flash Translation Layer" 55 : 332-343, 2009

      9 Samsung Electronics, "2G x 8Bit / 4G x 8Bit / 8G x 8Bit NAND Flash Memory (K9XXG08XXM)"

      1 김상현, "SLBFTL을 이용한 임베디드 DBMS에서의 효율적인 저장소" 한국정보과학회 25 (25): 3-22, 2009

      2 Sang-Won Lee, "Log Buffer based Flash Translation Layer using Fully Associative Sector Translation" 6 : 436-453, 2007

      3 Song Jiang, "LIRS: an efficient low inter-reference recency set replacement policy to improve buffer cache performance" 31-42, 2002

      4 Hoyoung Jung, "LIRS-WSR: Integration of LIRS and writes sequence reordering for flash memory" 4705 : 224-237, 2007

      5 Heeseung Jo, "FAB: flash-aware buffer management policy for portable media players" 52 (52): 485-493, 2006

      6 Seon-Yeong Park, "CFLRU: a replacement algorithm for flash memory" 234-241, 2006

      7 A. Dan, "An Approximate Analysis of the LRU and FIFO Buffer Replacement Schemes" 143-152, 1990

      8 Tae-Sun Chung, "A Survey of Flash Translation Layer" 55 : 332-343, 2009

      9 Samsung Electronics, "2G x 8Bit / 4G x 8Bit / 8G x 8Bit NAND Flash Memory (K9XXG08XXM)"

      더보기

      분석정보

      View

      상세정보조회

      0

      Usage

      원문다운로드

      0

      대출신청

      0

      복사신청

      0

      EDDS신청

      0

      동일 주제 내 활용도 TOP

      더보기

      주제

      연도별 연구동향

      연도별 활용동향

      연관논문

      연구자 네트워크맵

      공동연구자 (7)

      유사연구자 (20) 활용도상위20명

      인용정보 인용지수 설명보기

      학술지 이력

      학술지 이력
      연월일 이력구분 이력상세 등재구분
      2026 평가예정 재인증평가 신청대상 (재인증)
      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (재인증) KCI등재
      2017-01-01 평가 등재학술지 유지 (계속평가) KCI등재
      2013-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2010-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
      2007-01-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
      더보기

      학술지 인용정보

      학술지 인용정보
      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.02 0.02 0.01
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.02 0.02 0.183 0.03
      더보기

      이 자료와 함께 이용한 RISS 자료

      나만을 위한 추천자료

      해외이동버튼