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70 nm T-게이트를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자의 제작 및 특성
김성찬, 백태종,신동훈,임병옥,고백석,이진구 대한전자공학회 2004 p.745-750
Metamorphic HEMT를 이용한 100 GHz MIMIC 증폭기의 설계 및 제작
안단, 박형무,이진구,이복형,임병옥,이문교,백용현,채연식 대한전자공학회 2004 p.751-756