초음파 현상 공정을 이용한 나노스케일 리소패터닝 = Nanoscale Lithopatterning by Using Ultrasonic-assisted Development

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

We study the nanoscale channels formed by using electron-beam lithography with an ultrasonic-assisted development (UAD). In contrast with the traditional method, the ultrasonic source and the introduction of a phenomenological method with a non-solvent produce more efficient development by resist polymer interactions and micro-streaming effect, yielding a reduction in aggregation size and surface roughness. The resulting nanoscale multilines patterned by using the UAD show higher sensitivity and contrast than those patterned by using the MIBK:IPA method. We finally obtain Si nanochannels of 5.98 nm in width, which can contribute to study the mesoscopic physics of nanostructures and quantum devices.

국문 초록 (Abstract)

초음파를 이용한 현상 (Ultrasonic-assisted development: UAD) 을 도입한 전자빔 리소그래피를 사용하여 나노스케일 미세패터닝을 연구하였다. 기존의 MIBK:IPA 현상액을 이용하는 공정과는 대조적으로, 초음파와 비 용매의 사용은 보다 효율적인 현상 과정을 보였는데 이는 감광막 고분자의 상호작용 및 연속적인 마이크로 스트림밍 효과에 기인하며 결과적으로 응집 크기와 표면 거칠기에 현저한 감소를 보였다. 이러한 초음파 이용 현상 도입을 통해 얻은 나노스케일의 다중 채널 패터닝은 기존의 MIBK:IPA 방법에 비해 높은 민감도 및 대비도를 보였다. 최종적으로 5.98 nm 선폭의 미세 나노선을 얻었는데 이는 나노 구조 및 양자 소자의 중시 물리 현상 규명에 기여할 수 있을 것이다.

참고문헌 (Reference)

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