소자의 총 채널 폭은 같지만 핀 수와 핀 폭이 다른 n-채널 MuGFET의 소자 및 회로 성능을 측정 비교 분석하였다. 사용된 소자는 Pi-gate 구조의 MuGFET이며 총 채널 폭은 2.8um로 같으나 핀 수가 16이...
http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
https://www.riss.kr/link?id=A102613410
2011
Korean
학술저널
71-74(4쪽)
0
상세조회0
다운로드국문 초록 (Abstract)
소자의 총 채널 폭은 같지만 핀 수와 핀 폭이 다른 n-채널 MuGFET의 소자 및 회로 성능을 측정 비교 분석하였다. 사용된 소자는 Pi-gate 구조의 MuGFET이며 총 채널 폭은 2.8um로 같으나 핀 수가 16이...
소자의 총 채널 폭은 같지만 핀 수와 핀 폭이 다른 n-채널 MuGFET의 소자 및 회로 성능을 측정 비교 분석하였다. 사용된 소자는 Pi-gate 구조의 MuGFET이며 총 채널 폭은 2.8um로 같으나 핀 수가 16이며 핀 폭이 55nm인 소자와 핀 수가 14이며 핀 폭이 80nm인 두 종류의 소자이다. MuGFET의 아날로그 회로 성능은 출력저항, 얼리 전압, 전압 이득을 측정하였고 디지털 회로 성능 지수로는 지연 시간을 측정하였다. 소자의 전류-전압 특성으로부터 핀 폭이 작으며 핀 수가 많은 소자가 핀 폭이 넓으며 핀 수가 작은 소자보다 단채널 현상이 우수한 것을 알 수 있었다. 그리고 채널 폭이 좁고 핀 수가 많은 소자가 채널 폭이 넓고 핀 수가 많은 소자보다 아날로그 및 디지털 회로 성능도 우수함을 알 수 있었다.
목차 (Table of Contents)
상태천이확률을 이용한 신경망 기반 PRI 변조형태 인식방법
UPnP 기반의 WiFi를 이용한 감성 조명 LED 제어 및 가시광 통신에 관한 연구