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Arenas, O. ; Al Alam, E. ; Aimez, V. ; Jaouad, A. ; Maher, H. ; Ares, R. ; Boone, F.
2015년
eng
0741-3106
1558-0563
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
111-113 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Impact of Sidewall Passivation and Channel Composition on InxGa1-xAs FinFET Performance