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2017년
eng
1001-8042
2210-3147
SCOPUS;SCIE
학술저널
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES
1-6 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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PL and ESR study for defect centers in 4H-SiC induced by oxygen ion implantation
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