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1987년
eng
2166-2746
2166-2754
SCIE
학술저널
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and Phenomena
1622-1627 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Silicon epitaxy on germanium using a SiH4 low‐pressure chemical‐vapor deposition process
Low‐pressure deposition of high‐quality SiO2 films by pyrolysis of tetraethylorthosilicate