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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      Demonstration of Vertical GaN Schottky Barrier Diode With Robust Electrothermal Ruggedness and Fast Switching Capability by Eutectic Bonding and Laser Lift-Off Techniques

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      • 저자
      • 발행기관
      • 학술지명
      • 권호사항
      • 발행연도

        2022년

      • 작성언어

        eng

      • ISSN

        2168-6734

      • 등재정보

        SCOPUS;SCIE

      • 자료형태

        학술저널

      • 원정보자원

        IEEE journal of the Electron Devices Society

      • 수록면

        1003-1008   [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]

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