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Hong, M., Wu, M. C., Chen, Y. K., Mannaerts, J. P. American Institute of Physics 1991 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.10 No.2
Interface analysis of dry etched and molecular beam epitaxial regrown AlGaAs
Grober, L. H.,Hong, M.,Mannaerts, J. P.,Freund, R. American Institute of Physics 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.12 No.2
Structural properties of highly mismatched InGaAs-based devices grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates
Goorsky, M. S.,Eldredge, J. W.,Lord, S. M.,Harris, American Institute of Physics 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.12 No.2
Extremely high uniformity of interfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells grown on (411)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy
Hiyamizu, S.,Shimomura, S.,Wakejima, A.,Kaneko, S. American Institute of Physics 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.12 No.2
External photoluminescence efficiency and minority carrier lifetime of (Al,Ga)As/GaAs multi-quantum-well samples grown by molecular beam epitaxy using both As~2 and As~4
Foxon, C. T.,Cheng, T. S.,Dawson, P.,Lacklison, D. American Institute of Physics 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.12 No.2
Modulated arsenic molecular-beam epitaxial growth of In~0~.~4~8Al~0~.~5~2As
Chou, S. T.,Cheng, K. Y. American Institute of Physics 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.12 No.2
Growth optimization of molecular beam epitaxy grown in AlAs on InP
Choi, W.-Y.,Fonstad, C. G. American Institute of Physics 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.12 No.2
Accurate measurements of transients and intentional rates of change in molecular beam epitaxy growth rate calibrations
Fernandez, R.,Harwit, A.,Kinell, D. American Institute of Physics 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.12 No.2
Molecular beam epitaxy grown AlAsSb/GaAsSb distributed Bragg reflector on InP substrate operating near 1.55 �
Blum, O.,Fritz, I. J.,Dawson, L. R.,Howard, A. J. American Institute of Physics 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.12 No.2
Reflection high-energy electron diffraction study of the GaSb surface during molecular beam epitaxy
Yano, M.,Yamamoto, K.,Utatsu, T.,Inoue, M. American Institute of Physics 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.12 No.2
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