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Cho, H.J., Kim, Y.D., Park, D.S., Lee, E., Park, C Elsevier 2007 Solid-State Electronics Vol.51 No.11-12
Organic Field Effect Devices: Physics and Materials (Invited)
Batlogg, B., Kalb, W., Mathis, T., Haas, S., Morf, Japan Society of Applied Physics 2008 Solid state devices and materials Vol.- No.-
Selective Solid-Phase Crystallization of Amorphous Si by Oxygen Plasma Treatment
Okada, Y., Aoto, K., Asano, T. Business Center for Academic Societies 1996 SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS Vol.8 No.-
15:30 G-5-2 Effect of ion diffusion on switching voltage of solid-electrolyte nanometer switch
Banno, N., Sakamoto, T., Hasegawa, T., Terabe, K. Japan Society of Applied Physics 2005 Solid state devices and materials Vol.2005 No.-
Solid-Phase Reactions in Al Alloy/TiN/Ti/Si Systems Observed by In-Situ Cross-Sectional TEM
Sobue, S., Mukainakano, S., Ueno, Y., Hattori, T. The Society 1994 Solid state devices and materials Vol.8 No.-
Atomic-Layer Doping in Si~1~-~xGe~x/Si/Si~1~-~xGe~x Heterostructures by Two-Step Solid-Phase Epitaxy
Sugii, N.,Nakagawa, K.,Yamaguchi, S.,Miyao, M. Business Center for Academic Societies 1998 SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS Vol.9 No.-
Solid-Phase Nucleation Control of Amorphous Si by Step-Structure of Substrate Surface and Local P-Doping
Moniwa, M., Kusukawa, K., Ohkura, M., Takeda, E. Nihon Gakkai jimu center 1992 SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS Vol.8 No.-
Two-Dimensional Numerical Simulation of Solid-Phase-Crystallized Polysilicon TFT Characteristics
Chou, T.-K.,Kanicki, J. Business Center for Academic Societies 1998 SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS Vol.9 No.-
GaN on Silicon RF Devices: Current Status and Future Directions (Invited)
Linthicum, K., Hanson, A., Piner, E., Chaudhari, A Japan Society of Applied Physics 2008 Solid state devices and materials Vol.- No.-
Control of Si Solid-Phase Nucleation by Surface Steps for High Performance Thin Film Transistors
Asano, T., Makihira, K. Nihon Gakkai jimu center 1992 SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS Vol.8 No.-
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