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Theoretical Studies on the Physical Properties of Poly-Si and Metal Gates/HfO~2 Related High-k Dielectrics Interfaces
Shiraishi, K., Torii, K., Akasaka, Y., Nakayama, T Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2006 ECS Transactions Vol.1 No.5
Interface Reaction of High-k Gate Stack Structures Observed by High-Resolution RBS
Zhao, M., Nakajima, K., Suzuki, M., Kimura, K., Ue Electrochemical Society 2007 ECS Transactions Vol.11 No.4
Asymmetric Distribution of Charge Trap in HfO~2-Based High-k Gate Dielectrics
Higuchi, K., Naito, T., Uedono, A., Shiraishi, K. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2006 ECS Transactions Vol.1 No.5
Advanced Nano-Analysis of a High-K Dielectric Stack
MacKenzie, M., Craven, A., McComb, D., De Gendt, S Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2006 ECS Transactions Vol.3 No.3
Characteristics of Thermally Evaporated HfO~2
Garg, R., Chowdhury, N. A., Jarwal, R. K., Misra, Pennington, NJ.:; ECS, 2003 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.22 No.-
Extraction of the High-K Gate Dielectric Parameters from the Capacitance Data
Kar, S. Pennington, NJ.:; ECS, 2003 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.22 No.-
Metal/High-K Interface Interactions Upon High Temperature Annealing - Are They Cause of Workfunction Changes
Conard, T., Schram, T., Akheyar, A., Arstila, K., Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2006 ECS Transactions Vol.3 No.3
The Effects of Forming Gas Anneal Temperature and Dielectric Leakage Current on TDDB Properties of HfO~2 Devices
Kim, Y.-H., Onishi, K., Kang, C. S., Choi, R., Cho Pennington, NJ.:; ECS, 2003 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.22 No.-
Depth Profiling of Chemical and Electronic Structures and Defects of Ultrathin HfSiON on Si(100)
Miyazaki, S., Ohta, A., Inumiya, S., Nara, Y., Yam Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2006 ECS Transactions Vol.3 No.3
Soft Breakdown Phenomena in High-K Gate Dielectrics
Satake, H. Pennington, NJ.:; ECS, 2003 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.22 No.-
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