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Processing and Characterization of RTCVD Silicon Nitride and Oxynitride Grown in a Single-Wafer RT Cluster Tool
D Emic, C. P.,Gusev, E. P.,Newbury, J.,Kozlowski, Electrochemical Society 2000 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.- No.9
RF and Microwave Annealing for Ultra Shallow Junction Formation
Thompson, K.,Booske, J. H.,Downey, D. F.,Gianchand Electrochemical Society 2000 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.2001-9 No.-
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Arghavani, R. Electrochemical Society 2000 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.2001-9 No.-
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Das, J. H.,Jia, Y. B.,Choi, J. Y.,Daniel, A. D.,At Electrochemical Society 2000 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.2001-9 No.-
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Fukada, T.,Yoo, W. S.,Hiraga, Y.,Kang, K.,Kitayama Electrochemical Society 2000 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.2001-9 No.-
Comparison of Interface Properties of Dry and Wet Oxides Grown in Different Ambient
Sharangpani, R.,Tay, S. P. Electrochemical Society 2000 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.2001-9 No.-
High-K Gate Dielectrics: HfO~2, ZrO~2, and Their Silicates
Nieh, R.,Onishi, K.,Choi, R.,Dharmarajan, E.,Gopal Electrochemical Society 2000 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.2001-9 No.-
Preparation of Sub 20A Thick Ultra-Thin Stack Gate Dielectrics by In-situ RTCVD Processes
Jeon, J. S.,Wong, C.,Gray, J.,Kim, H.,Ogle, B. Electrochemical Society 2000 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.2001-9 No.-
Ultra Thin High-K Dielectrics Grown by Atomic Layer Deposition: A Comparative Study of ZrO2, HfO2, Y2O3 and Al2O3
Gusev, E. P.,Cartier, E.,Copel, M.,Gribelyuk, M.,B Electrochemical Society 2000 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.2001-9 No.-
Physical and Electrical Properties of Ultra Thin (<2.0 nm) Rapid Thermal Oxynitrides
Green, M. L.,Sorsch, T. W.,Gladden, W.,Ma, Y.,Lenn Electrochemical Society 2000 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.2001-9 No.-
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