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Relationship between gate lag, power drift, and power slump of pseudomorphic high electron mobility transistors
Hwang, J. C. M. Elsevier 1998 Solid-State Electronics Vol.43 No.8
Growth of device quality InGaP/GaAs heterostructures by gas source molecular beam epitaxy using tertiarybutylphosphine
Sai, H.,Fujikura, H.,Hirama, A.,Hasegawa, H. Elsevier 1998 Solid-State Electronics Vol.43 No.8
First demonstration of low temperature grown InP-channel HFET transferred onto GaAs substrate
Kunze, M.,Lee, L. H.,Chung, H. Y.,Kohn, E. Elsevier 1998 Solid-State Electronics Vol.43 No.8
Short gate-length InAlAs/InGaAs MODFETs with asymmetry gate-recess grooves: electrochemical fabrication and performance
Xu, D.,Suemitsu, T.,Yokoyama, H.,Umeda, Y. Elsevier 1998 Solid-State Electronics Vol.43 No.8
Improvement of 0.1 �-gate InGaAs/AlGaAs HEMT performance by suppression of electro-chemical etching in deionized water
Ohshima, T.,Shigemasa, R.,Sato, M.,Tsunotani, M. Elsevier 1998 Solid-State Electronics Vol.43 No.8
A 77 K analog monolithic HEMT amplifier for high-speed Josephson-semiconductor interface circuit
Harada, N.,Awano, Y.,Hikosaka, K.,Yokoyama, N. Elsevier 1998 Solid-State Electronics Vol.43 No.8
InP-based complementary HBT amplifiers for use in communication systems
Sawdai, D.,Pavlidis, D. Elsevier 1998 Solid-State Electronics Vol.43 No.8
SiGe heterostructure CMOS circuits and applications
Parker, E. H. C.,Whall, T. E. Elsevier 1998 Solid-State Electronics Vol.43 No.8
Potential profile measurement of GaAs MESFETs passivated with low-temperature grown GaAs layer by Kelvin probe force microscopy
Matsunami, K.,Takeyama, T.,Usunami, T.,Kishimoto, Elsevier 1998 Solid-State Electronics Vol.43 No.8
Photoemission studies on heterostructure bipolar transistors
Schuermeyer, F.,Zampardi, P. J.,Asbeck, P. M. Elsevier 1998 Solid-State Electronics Vol.43 No.8
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