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Hasegawa, T., Kobayashi, T., Kadomura, S., Aoyama, DUMIC 1996 INTERNATIONAL DIELECTRICS FOR VLSI ULSI MULTILEVEL Vol.2 No.-
Real-Time Charge Detection in Field Oxide and ILD Films
Dawson, R., Sun, S. P., Brennan, B., Greenlaw, D. DUMIC 1996 INTERNATIONAL DIELECTRICS FOR VLSI ULSI MULTILEVEL Vol.2 No.-
The Contribution of Si-O Vibration Modes to the Dielectric Constant of SiO~2:F Film
Shimogaki, Y., Lim, S. W., Miyata, M., Nakano, Y. DUMIC 1996 INTERNATIONAL DIELECTRICS FOR VLSI ULSI MULTILEVEL Vol.2 No.-
Low Dielectric Constant Spin-on Materials for Intermetal Dielectric Applications: A Comparative Study
Tobben, D., Groteloh, D., Spindler, O. DUMIC 1996 INTERNATIONAL DIELECTRICS FOR VLSI ULSI MULTILEVEL Vol.2 No.-
Thermal Conductivity Measurements of Low Dielectric Constant Films
Jin, C., Ting, L., Taylor, K., Seha, T. DUMIC 1996 INTERNATIONAL DIELECTRICS FOR VLSI ULSI MULTILEVEL Vol.2 No.-
Water Absorption Study of High Density Plasma CVD Oxide Films
Shoda, N., Matsuda, T., Weigand, P., Nguyen, S. V. DUMIC 1996 INTERNATIONAL DIELECTRICS FOR VLSI ULSI MULTILEVEL Vol.2 No.-
Evaluation of Plasma Damage in ECR Plasma CVD Using Low Frequency Bias
Kato, K., Kanai, F., Fukuda, T. DUMIC 1996 INTERNATIONAL DIELECTRICS FOR VLSI ULSI MULTILEVEL Vol.2 No.-
A Novel Plasma Control Method for Particle Reduction of Sub-Micron DRAM Etchback Process
Chen, L. J. DUMIC 1996 INTERNATIONAL DIELECTRICS FOR VLSI ULSI MULTILEVEL Vol.2 No.-
Investigation of Loading Effect During SOG Etchback and its Impact on Planarity
Bothra, S., Weling, M. DUMIC 1996 INTERNATIONAL DIELECTRICS FOR VLSI ULSI MULTILEVEL Vol.2 No.-
Vacuum Deposited Parylene AF4: A Thermally Stable, Low Dielectric Constant Polymer for Interlayer Dielectric Use
Wary, J., Olson, R. A., Beach, W. F. DUMIC 1996 INTERNATIONAL DIELECTRICS FOR VLSI ULSI MULTILEVEL Vol.2 No.-
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