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DEVELOPMENT OF AN ION BEAM SPUTTERING SYSTEM FOR Si/Ge MULTI-LAYER DEPOSITION
Asada, T., Endo, H., Kawakita, K., Yamamoto, Y. Hosei University 2004 REPORT- RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY HOS Vol.- No.22
W Surface Treatment in Al/W Layered Interconnects
Harada, Y., Itoh, Y., Tai, K., Onoda, H. Hosei University 1994 REPORT- RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY HOS Vol.- No.13
RBS Studies of Thermally Diffused Selenium Into Porous Silicon Layers
Hamanaka, H., Konagai, S., Aoyagi, H., Kinoshita, Hosei University 1994 REPORT- RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY HOS Vol.- No.13
Study on Structural Defects in Lattice-Mismatched HgCdTe Epilayers Using by the Ion Channeling Method
Nozaki, C., Sugiura, L., Shigenaka, K., Hirahara, Hosei University 1994 REPORT- RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY HOS Vol.- No.13
High Selectivity and Low Damage Dry Etching of GaAs to AlGaAs Using BCl~3/SF~6 Gas in ECR Plasma
Oikawa, H., Kohno, M., Mochizuki, A. Hosei University 1994 REPORT- RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY HOS Vol.- No.13
Reaction Control Using Tunable UV Laser in Digital Etching
Sakai, K., Yamazaki, T., Ishii, M., Meguro, T. Hosei University 1994 REPORT- RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY HOS Vol.- No.13
In Situ Evaluation of Atom-Arrangement in the Initial Stage of GaAs Growth in Si Using CAICISS
Saitoh, T., Tamura, M. Hosei University 1994 REPORT- RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY HOS Vol.- No.13
Analysis on Intensity Variation of CAICISS Spectra During MEE Growth
Hashimoto, A., Nakase, Y., Itoh, T., Ohkubo, M. Hosei University 1994 REPORT- RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY HOS Vol.- No.13
Evaluation of Electron-Irradiation Induced Defects in Fe-Doped Semi-Insulating InP
Sakai, K., Iijima, T., Kato, T., Tomizawa, K. Hosei University 1994 REPORT- RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY HOS Vol.- No.13
Effects of Excess Phosphor in Phosphorus Ion Implanted GaP
Kato, T., Tajima, S., Kato, T., Takeda, S. Hosei University 1994 REPORT- RESEARCH CENTER OF ION BEAM TECHNOLOGY HOS Vol.- No.13
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