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Ion Implanted GaAs JFETs With f~1 > 45 GHz for Low Power Electronics
Zolper, J. unknown 1996 GAAS IC SYMPOSIUM Vol.- No.-
16.7% Efficient, Laser Textured, Buried Contact Polycrystalline Silicon Solar Cell
Zolper, John C.,Narayanan, Srinivasamohan,Wenham, American Institute of Physics 1989 Applied Physics Letters Vol.55 No.22
Thermally Stable Oxygen Implant Isolation of p-Type Al0.2Ga0.8As
Zolper, John C.,Baca, Albert G.,Chalmers, Scott A. American Institute of Physics 1993 Applied Physics Letters Vol.62 No.20
Formation of High Resistivity Regions in p-Type Al0.5In0.5P by Ion Implantation
Zolper, J. C.,Schneider, Jr. R. P. American Institute of Physics 1993 Applied Physics Letters Vol.63 No.23
Special issue on wide bandgap semiconductor devices
Zolper, J.C., Shanabrook, B.V. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2002 Proceedings of the Institute of Electrical and Ele Vol.90 No.6
Nitrogen and Fluorine Ion Implantation in InGa₁N
Zolper, J.C.,Pearton, S.J.,Abernathy, C.R. American Institute of Physics 1995 Applied Physics Letters Vol.66 No.22
Morphology and Photoluminescence Improvements from High-Temperature Rapid Thermal Annealing of GaN
Zolper, J. C.,Crawford, M. Hagerott,Howard, A. J. American Institute of Physics 1996 Applied Physics Letters Vol.68 No.2
Ion-Implanted GaN Junction Field Effect Transistor
Zolper, J. C.,Shul, R. J.,Baca, A. G. American Institute of Physics 1996 Applied Physics Letters Vol.68 No.16
Si and Si/P Implants in In0.5Ga0.5P and In0.5Al0.5P
Zolper, J. C.,Chui, H. C. American Institute of Physics 1996 Applied Physics Letters Vol.68 No.24
Ca and O Ion Implantation Doping of GaN
Zolper, J. C.,Wilson, R. G.,Pearton, S. J. American Institute of Physics 1996 Applied Physics Letters Vol.68 No.14
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