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Effect of inhomogeneities of Bi~2T~3 crystals on the transverse Nernst-Ettingshausen effect
Zhitinskaya, M. K American Institute of Physics 1997 Semiconductors Vol.31 No.4
Thermoelectrical properties and energy band spectrum p-Bi~2Te~3 doped with element of II or IV group
Zhitinskaya, M. K., Nemov, S. A., Abaidulina, T. G A.F. Ioffe Physical-Technical Institute 1995 INTERNATIONAL CONFERENCE ON THERMOELECTRICS Vol.14 No.-
Experimental investigation of Nernst-Ettingshausen effect in antimony telluride
Zhitinskaya, M. K., Nemov, S. A., Rykov, S. A., Iv A.F. Ioffe Physical-Technical Institute 1995 INTERNATIONAL CONFERENCE ON THERMOELECTRICS Vol.14 No.-
Investigation of the electrical homogeneity of lead telluride
Zhitinskaya, M. K. Consultants Bureau 1985 Russian Physics Journal Vol.28 No.9
Effect of copper doping on kinetic phenomena in n-Bi2Te2.85Se0.15
Zhitinskaya, M. K., Nemov, S. A., Svechnikova, T. Springer Science + Business Media 2007 Semiconductors Vol.41 No.10
Influence of impurities on the thermoelectric properties of layered anisotropic PbBi4Te7 compound: Experiment and calculations
Zhitinskaya, M. K., Nemov, S. A., Muhtarova, A. A. Springer Science + Business Media 2010 Semiconductors Vol.44 No.6
Doping of the Bi1.9Sb0.1Te3 solid solution with Sn impurity
Zhitinskaya, M. K., Nemov, S. A., Muhtarov, V. R. Springer Science + Business Media 2011 Semiconductors Vol.45 No.8
Transport phenomena in the anisotropic layered compounds MeBi4Te7 (Me = Ge, Pb, Sn)
Zhitinskaya, M. K., Nemov, S. A., Blagih, N. M., S Springer Science + Business Media 2012 Semiconductors Vol.46 No.10
Peculiarities of Electrophysical Properties of Bi~2Te~3 Doped with Sn
Zhitinskaya, M. K., Nemov, S. A., Svechnikova, T. IEEE 1997 INTERNATIONAL CONFERENCE ON THERMOELECTRICS Vol.16 No.-
Interaction of electrical active intrinsic defects in Sn-doping Bi2Te3
Zhitinskaya, M. K., Nemov, S. A., Svechnikova, T. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING Vol.6 No.5-6
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