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Zekentes, K North-Holland Pub. Co 1995 Journal of crystal growth Vol.157 No.1
Materials problems for the development of InGaAs/InAlAs HEMT technology
Zekentes, K. ELSEVIER 1993 Materials Science and Engineering B Vol.20 No.1-2
Gas source molecular beam epitaxy of �SiC on Si substrates
Zekentes, K. 00 1996 Applied Surface Science Vol.102 No.-
Material Limitations for the Development of High Performance SiC NWFETs
Zekentes, K., Rogdakis, K., Bano, E. Transtec Publications; 1999 2012 Materials Science Forum Vol.711 No.-
Room Temperature Physical Characterization of Implanted 4H- and 6H-SiC
Zekentes, K., Tsagaraki, K., Androulidaki, M., Kay Transtec Publications; 1999 2012 Materials Science Forum Vol.717-720 No.1
Electron Traps in β-SiC Grown by Chemical Vapor Deposition on Silicon (100) Substrates
Zekentes, K.,Kayiambaki, M.,Constantinidis, G. American Institute of Physics 1995 Applied Physics Letters Vol.66 No.22
Carbonization of Si surfaces by solid source molecular beam epitaxy
Zekentes, K. ELSEVIER 1995 Materials Science and Engineering B Vol.29 No.1-3
The Formation of New Periodicities after N-Implantation in 4H- and 6H-SiC Samples
Zekentes, K., Tsagaraki, K., Breza, A., Frangis, N Transtec Publications; 1999 2013 Materials Science Forum Vol.740-742 No.-
Electrochemical C-V Profiling of n-Type 4H-SiC
Zekentes, K., Kayambaki, M., Mousset, S. Uetikon-Zuerich, Switzerland; Great Britain; Trans Tech Publications 2004 Materials Science Forum Vol.457-460 No.-
Progress in SiC nanowire field-effect-transistors for integrated circuits and sensing applications
Zekentes, Konstantinos, Choi, Jihoon, Stambouli, V Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2022 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.255 No.-
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