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Negative-bias-temperature-instability in metal-insulator-semiconductor structures
Volkos, S. N., Peaker, A. R., Hawkins, I. D., Efth Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 Materials Science and Engineering B Vol.109 No.1-3
Extrinsic stacking fault generation related to high-k dielectric growth on a Si substrate
Volkos, S. N., Bernardini, S., Rigopoulos, N., Eft Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.84 No.9-10
The impact of negative-bias-temperature-instability on the carrier generation lifetime of metal-oxynitride-silicon capacitors (9 pages)
Volkos, S. N., Efthymiou, E. S., Bernardini, S., H AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2006 Journal of Applied Physics Vol.100 No.12
Very High-k Tetragonal ZrO~2 on Ge with GeO~2 Passivating Interfacial Layer
Tsipas, P., Volkos, S., Sotiropoulos, A., Mavrou, New York; Electrochemical Society 2008 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.214 No.6
Germanium-induced stabilization of a very high-k zirconia phase in ZrO~2/GeO~2 gate stacks (3 pages)
Tsipas, P., Volkos, S.N., Sotiropoulos, A., Galata AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2008 Applied Physics Letters Vol.93 No.8
Atomic layer deposition of La~xZr~1~-~xO~2~-~ ~d~e~l~t~a~ (x=0.25) high-k dielectrics for advanced gate stacks (3 pages)
Tsoutsou, D., Lamagna, L., Volkos, S.N., Molle, A. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2009 Applied Physics Letters Vol.94 No.5
Reliability nano-characterization of thin SiO2 and HfSixOy/SiO2 gate stacks
Efthymiou, E., Bernardini, S., Volkos, S. N., Hami Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.84 No.9-10
Post-Stress/Breakdown Leakage Mechanism in Ultrathin High- kappa (HfO~2)~x(SiO~2)~1~-~x
Uppal, H.J., Markevich, V., Volkos, S.N., Dimoulas Warrendale, Pa.; Materials Research Society; 1999 2009 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1108 No.-
Post-Stress/Breakdown Leakage Mechanism in Ultrathin High- kappa (HfO~2)~x(SiO~2)~1~-~x/SiO~2 Gate Stacks: A Nanoscale Conductive-Atomic Force Microscopy C-AFM
Uppal, H.J., Markevich, V., Volkos, S.N., Dimoulas Warrendale, Pa.; Materials Research Society 2009 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1108 No.-
O~3-based atomic layer deposition of hexagonal La~2O~3 films on Si(100) and Ge(100) substrates (11 pages)
Lamagna, L., Wiemer, C., Perego, M., Volkos, S.N. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2010 Journal of Applied Physics Vol.108 No.8
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