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Comparative Study of GaN MOVPE Growth Processes Using Two Different "Surface Preparation-Carrier Gas" Combinations
Vennegues', P. MATERIALS RESEARCH SOCIETY 1998 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.512 No.-
Interfacial structure and defect analysis of nonpolar ZnO films grown on R-plane sapphire by molecular beam epitaxy (7 pages)
Vennegues, P., Chauveau, J.M., Korytov, M., Depari AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2008 Journal of Applied Physics Vol.103 No.8
Defect reduction methods for III-nitride heteroepitaxial films grown along nonpolar and semipolar orientations
Vennegues, P. IOP PUBLISHING LTD 2012 Semiconductor science and technology Vol.27 No.2
Microstructure of GaN epitaxial films at different stages of the growth process on sapphire (0 0 0 1)
Vennegues, P North-Holland Pub. Co 1997 Journal of crystal growth Vol.173 No.3
Study of the epitaxial relationships between III-nitrides and M-plane sapphire (6 pages)
Vennegues, P., Zhu, T., Martin, D., Grandjean, N. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2010 Journal of Applied Physics Vol.108 No.11
Influence of Stacking Sequences and Lattice Parameter Differences on the Microstructure of Nonpolar AlN Films Grown on (1120) 6H-SiC by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy (3 pages)
Vennegues, P., Founta, S., Mariette, H., Daudin, B JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS 2010 Japanese Journal of Applied Physics Vol.49 No.4/1
In-Plane Polarities of Nonpolar Wurtzite Epitaxial Films Deposited on m- and r-plane Sapphire Substrates (3 pages)
Vennegues, P., Zhu, T., Bougrioua, Z., Martin, D. JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS 2009 Japanese Journal of Applied Physics Vol.48 No.9/2
Microstructural Characterization of Semipolar GaN Templates and Epitaxial-Lateral-Overgrown Films Deposited on M-Plane Sapphire by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Vennegues, P., Bougrioua, Z., Guehne, T. Japanese Journal of Applied Physics; 1999 2007 Japanese Journal of Applied Physics Vol.46 No.7A
Transmission Electron Microscopy Study of the Nitridation of the (0001) Sapphire Surface
Vennegues, P.,Beaumont, B. American Institute of Physics 2000 Applied Physics Letters Vol.75 No.26
Pyramidal Defects in Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Mg Doped GaN
Vennegues, P.,Benaissa, M.,Beaumont, B. American Institute of Physics 2000 Applied Physics Letters Vol.77 No.6
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