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Comparison of ion‐implantation‐induced damage in narrow‐gap (0.1 eV) Hg1−xCdxTe and Hg1−xZnxTe
Uzan‐Saguy, C.,Richter, V.,Shaanan, M.,Kalish, R.T AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1992 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.10 No.5
Alara applied to iter design and operation
Uzan-Elbez, J., Rodriguez-Rodrigo, L., Porfiri, M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 Fusion engineering and design Vol.75-79 No.-
Electrical Isolation of GaN by Ion Implantation Damage
Uzan-Saguy, C.,Salzman, J.,Kalish, R. American Institute of Physics 1999 Applied Physics Letters Vol.74 No.17
The intestinal microbiome, weight, and metabolic changes in women treated by adjuvant chemotherapy for breast and gynecological malignancies
Uzan-Yulzari, Atara BioMed Central 2020 BMC medicine Vol.18 No.1
Formation of delta-doped, buried conducting layers in diamond, by high-energy, B-ion implantation
Uzan-Saguy, C. ELSEVIER 1998 Diamond and related materials Vol.7 No.10
Nature of damage in diamond implanted at low temperatures
Uzan-Saguy, C.,Richter, V.,Prawer, S.,Lifshitz, Y. Elsevier 1995 Diamond and related materials Vol.4 No.5-6
Shall we be resolute?
Uzan-Milofsky, M. SAGE PERIODICALS PRESS 2009 Rationality and society Vol.21 No.3
Hydrogen diffusion in B-ion-implanted and B-doped homo-epitaxial diamond: passivation of defects vs. passivation of B acceptors
Uzan-Saguy, C. ELSEVIER 2001 Diamond and related materials Vol.10 No.3-7
Diffusion of hydrogen from a microwave plasma into diamond and its interaction with dopants and defects
Uzan-Saguy, C., Cytermann, C., Fizgeer, B., Richte ELSEVIER SCIENCE 2002 Diamond and related materials Vol.11 No.3-6
Electrical Activation of B Implants in Hg0.79Cd0.21Te by Immersion Annealing in a Hot Hg Bath
Uzan-Saguy, C.,Kalish, R. American Institute of Physics 1989 Applied Physics Letters Vol.55 No.11
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