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Terukov, E. I American Institute of Physics 1996 Semiconductors Vol.30 No.5
IV International Conference on Amorphous and Microcrystalline Semiconductors (July 5-7, 2004)
Terukov, E. I. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2005 Semiconductors Vol.39 No.8
Hyperfine Interactions in Copper Sites of Dielectric and Superconducting Copper Metal Oxides
Terukov, E. I. Springer Nature 2020 TECHNICAL PHYSICS LETTERS C/C OF PIS'MA V ZHURNAL Vol.46 No.11
INVESTIGATION OF INFLUENCE OF ISOTOPIC EFFECT ON METAL-INSULATOR PHASE-TRANSITION TEMPERATURE IN VANADIUM-OXIDES
E. Wolf, G. Oppermann, W. Reichelt, E. I. Terukov MAIK Nauka - Interperiodica 1978 JETP Letters Vol.27 No.3
Hydrogen-Enhanced Transformation of Electrical and Structural Properties of Thin Subsurface Ion Implanted Silicon Layer in SiO~2-Si Systems
Terukov, E. I.,Ber, B. J.,Kudojarova, V. K.,Davydo Scitec Publications 1999 Diffusion and defect data, solid state data. Solid Vol.69-70 No.-
Prospects of the Solar Energetics in Russia
Terukov, E. I., Shutkin, O. I. MAIK NAUKA - INTERPERIODICA 2016 VESTNIK- ROSSIISKAIA AKADEMIIA NAUK Vol.86 No.3
Lithium incorporation into thin films of vanadium oxides
Terukov, E. I., Nikitin, S. E., Nikolaev, Y. A., K Springer Science + Business Media 2009 TECHNICAL PHYSICS LETTERS C/C OF PIS'MA V ZHURNAL Vol.35 No.12
X-ray fluorescence analysis of Ge1–x Se x , As1–x Se x , and Ge1–x–y As y Se x glasses using electronic excitation
Terukov, E. I., Seregin, P. P., Marchenko, A. V., Springer Science + Business Media 2015 Semiconductors Vol.49 No.10
Room-temperature photoluminescence of amorphous hydrogenated silicon carbide doped with erbium
Terukov, E. I., Kudoyarova, V. K., Kuznetsov, A. N Kluwer Academic 1996 NATO ASI SERIES 3 HIGH TECHNOLOGY Vol.36 No.-
physical properties of amorphous silicon; prepared by HF silane decomposition at high substrate temperature
O.I. Konkov, E.I. Terukov, V.Kh. Kydoyarova, A.A. North-Holland 1987 Journal of non-crystalline solids Vol.97-98 No.2
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