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Quantum size effect in silicon surface inversion layers /
Takuo Sugano ,Hiroyuki Sakaki THE UNIVERSITY OF TOKYO 1972 JOURNAL- FACULTY OF ENGINEERING UNIVERSITY OF TOKY Vol.- No.10
Plasma anodization as a dry low temperature technique for oxide film growth on silicon substrates
Takuo Sugano Elsevier BV * North-Holland 1982 Thin Solid Films Vol.92 No.1-2
Oxide film growth on GaAs;silicon substrates by anodization in oxygen plasma;its application to devices;integrated circuit fabrication
Takuo Sugano Elsevier BV * North-Holland 1980 Thin Solid Films Vol.72 No.1
Anodization of GaAs and Si in oxygen plasma and its application to the fabrication of devices and integrated circuits /
Takuo Sugano ,Fusako Koshiga ,Kimiyoshi Yamasaki Univ. of Tokyo Press 1980 Journal of the Faculty of Engineering, University Vol.- No.35
Metal to silicon contact /
Takuo Sugano ,Fusako Koshiga ,Akihiko Morino ,Hsun Univ. of Tokyo Press 1971 Journal of the Faculty of Engineering, University Vol.- No.31
The anodic oxidation of GaAs in an oxygen plasma generated by a D.C. electrical discharge
Fusako Koshiga, Takuo Sugano Elsevier BV * North-Holland 1979 Thin Solid Films Vol.56 No.1-2
Generalized analysis of high-frequency and switching characteristics of junction transistors /
Hisayoshi Yanai ,Takuo Sugano ,Kunio Tada Univ. of Tokyo Press 1967 Journal of the Faculty of Engineering, University Vol.- No.29
Electrical and magnetic properties of ferromagnetic semiconductor, cdcr2se4, thin film /
Tetsuya Iizuka ,Takuo Sugano Univ. of Tokyo Press 1976 Journal of the Faculty of Engineering, University Vol.- No.33
Theoretical study on energy band structure of ternary alloy semiconductors /
Shigeki Sakai ,Takuo Sugano Univ. of Tokyo Press 1979 Journal of the Faculty of Engineering, University Vol.- No.35
Crystallographic Selective Growth of GaAs by Atomic Layer Epitaxy
Isshiki, Hideo,Aoyagi, Yoshinobu,Sugano, Takuo American Institute of Physics 1993 Applied Physics Letters Vol.63 No.11
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