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Mechanism of low Ohmic contact resistance to p-type GaN by suppressed edge dislocations
Su, Huake, Zhang, Tao, Xu, Shengrui, Lu, Juan, Du, American Institute of Physics 2022 Applied Physics Letters Vol.120 No.22
Interface state analysis of Schottky-gated p-AlGaN/u-GaN/AlGaN p-FET with negligible hysteresis at high temperatures
Su, Huake American Institute of Physics 2023 Applied Physics Letters Vol.123 No.13
Improving the Current Spreading by Fe Doping in n-GaN Layer for GaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes
Su, Huake, Xu, Shengrui, Tao, Hongchang, Fan, Xiao IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2021 IEEE electron device letters Vol.42 No.9
Emission Characteristics of Heavy Metals and Pollution Prevention in the Leather Industry
Ruiguang, Hou, Huake, Su, Ping, Guan, Siyin, H GUANGDONG PROVINCE HEAVY CHEMICAL INDUSTRY BUREAU INFORMATION CENTRE 2015 GUANGDONG CHEMICAL INDUSTRY Vol.42 No.5
To Explore the Producing Pollution Characteristics of Heavy Metal Chromium in Waste Water of Leather Enterprise
Wangwen, Chen, Ruiguang, Hou, Huake, Su GUANGDONG PROVINCE HEAVY CHEMICAL INDUSTRY BUREAU INFORMATION CENTRE 2017 GUANGDONG CHEMICAL INDUSTRY Vol.44 No.7
Mechanism of current-collapse free for lateral GaN Schottky barrier diodes utilizing polarization-induced hole injection
Zhang, Tao, Li, Ruohan, Zhang, Yanni, Su, Huake, Z American Institute of Physics 2022 Applied Physics Letters Vol.120 No.23
High-Performance E-Mode p -Channel GaN FinFET on Silicon Substrate With High I
Du, Hanghai, Liu, Zhihong, Hao, Lu, Su, Huake, Zha IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2022 IEEE electron device letters Vol.43 No.5
Graph clustering-based crowd counting with very limited labelled samples
Wang, Huake, Zhang, Kaibing, Su, Zebin, Lu, Jian, IET 2020 Electronics Letters Vol.56 No.14
Graph clustering‐based crowd counting with very limited labelled samples
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