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The Commissioning Results of the First Beamline at the Siam Photon Laboratory
Songsiriritthigul, P., Nakajima, H., Kantee, S., W IOP INSTITUTE OF PHYSICS PUBLISHING LTD 2004 AIP Conference Proceedings Series Vol.705 No.8
Songsiriritthigul, P., Nakajima, H., Kantee, S., W Melville, NY.; AIP 2004 AIP Conference Proceedings Series Vol.705 No.-
The final state interaction in 3p-3d resonance excitation of Ni(111)
P. Songsiriritthigul, H. Nakajima, W. Wongkokua, S Elsevier Scientific Pub. Co 2005 Journal of electron spectroscopy and related pheno Vol.144 No.-
Strained SiGe-alloy layers formed by solid phase epitaxial growth of Ge^+ ion implanted silicon
Songsiriritthigul, P. ELSEVIER 1997 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.122 No.4
Songsiriritthigul, P., Nakajima, H., Wongkokua, W. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 Journal of electron spectroscopy and related pheno Vol.144-147 No.-
Channeling and steering effects on 2 MeV He^2^+ ions in Ge^+ ion implanted SiGe-alloy layers
Songsiriritthigul, P. ELSEVIER 1996 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.115 No.1-4
Thermal solid phase epitaxial growth and ion-beam induced crystallisation of Ge^+ ion implanted layers in silicon
Songsiriritthigul, P. 00 1996 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.120 No.1-4
MVV super Coster-Kronig spectra of nickel near the excitation threshold
Songsiriritthigul, P., Wongkokua, W., Nakajima, H. IOP PUBLISHING LTD 2005 Journal of Physics, Condensed Matter Vol.17 No.43
Present Status of the Siam Photon Laboratory
Songsiriritthigul, P., Klysubun, P., Duangnil, S. AIP American Institute of Physics 2010 AIP Conference Proceedings Series Vol.1234 No.-
Strain induced defects in Si~1~-~xGe~x-alloy layers formed by solid phase epitaxial growth of 40 keV Ge^+ ion implanted silicon
Songsiriritthigul, P. ELSEVIER 1997 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.124 No.1
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