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The Influence of Temperature on the Optical-Absorption Edge Shift Induced by Band-Gap Illumination in Thin Amorphous GeSe2 Films
Tichy-L,Sleeckx-E,Nagels-P,Ticha-H unknown 1996 Philosophical Magazine B Vol.73 No.2
A Conformal Oxide Linear for Through Silicon Vias by Pulsed SA-CVD Deposition
Sleeckx, E., Schaekers, M., Durr, E. Electrochemical Society 2009 ECS Transactions Vol.25 No.8
A Conformal Oxide Liner for Through Silicon Vias by Pulsed SA-CVD Deposition
Sleeckx, E., Schaekers, M., Durr, E. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2009 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.216^T^H No.5
Optimization of low temperature silicon nitride processes for improvement of device performance
Sleeckx, E., Schaekers, M., Shi, X., Kunnen, E., D Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 Microelectronics and reliability Vol.45 No.5-6
Thermally and photo-induced irreversible changes in the optical properties of amorphous Ge~xSe~1~0~0 films
Sleeckx, E., Tichy, L., Nagels, P., Callaerts, R. Elsevier Science 1995 Journal of non-crystalline solids Vol.198-200 No.--2
Plasma-enhanced chemical vapour deposition of amorphous Ge~xSe~1~-~x films
Sleeckx, E. ELSEVIER SCIENCE DIVISION 1993 Journal of non-crystalline solids Vol.164-166 No.2
Plasma-enhanced C.V.D. of amorphous Ge~xS~1~-~x and Ge~x Se~1~-~x films
Sleeckx, E.,Nagels, P.,Callaerts, R.,Van Roy, M. Les Editions de Physique 1993 The European Physical Journal. Special Topics Vol.3 No.3
Plasma-enhanced chemical vapour deposition of amorphous Ge~xSe~1~-x films
Sleeckx, E.,Nagels, P.,Callaerts, R.,Van Roy, M. North-Holland 1993 Journal of non-crystalline solids Vol.164-166 No.2
The CONSENS Project: A Methodology and Integration Platform to Optimize Time, Quality and Cost in the Concurrent Product Development Process
Sleeckx, E.,Pinte, J.,Ibold, C. Begell House 1994 FLEXIBLE AUTOMATION AND INTEGRATED MANUFACTURING - Vol.4 No.-
Sleeckx, E. ELSEVIER SCIENCE DIVISION 1993 Journal of non-crystalline solids Vol.164-166 No.1
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