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Crystallographic orientation engineering in silicon-on-insulator substrates (3 pages)
Signamarcheix, T., Biasse, B., Papon, A.-M., Nolot AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2010 Applied Physics Letters Vol.96 No.26
Germanium oxynitride (GeO~xN~y) as a back interface passivation layer for Germanium-on-insulator substrates (3 pages)
Signamarcheix, T., Allibert, F., Letertre, F., Che AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2008 Applied Physics Letters Vol.93 No.2
Fully depleted silicon on insulator MOSFETs on (1 1 0) surface for hybrid orientation technologies
Signamarcheix, T., Andrieu, F., Biasse, B., Casse, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2011 Solid-State Electronics Vol.59 No.1
200 mm Silicon on Porous Layer Substrates Made by the Smart Cut Technology
Stragier, A., Signamarcheix, T., Salvetat, T., Nol Pennington, NJ; Electrochemical Society 2010 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.- No.218
200 mm Silicon On Porous Layer Substrates Made by the Smart Cut Technology for Double Layer-Transfer Applications
Stragier, A.-S., Signamarcheix, T., Salvetat, T., ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC 2011 Journal of the Electrochemical Society Vol.158 No.5
ToF-SIMS Applications in Microelectronics: Quantification of Organic Surface Contamination
Trouiller, C., Signamarcheix, T., Juhel, M., Petit IOP INSTITUTE OF PHYSICS PUBLISHING LTD 2005 AIP Conference Proceedings Series Vol.788 No.-
200 mm Silicon on Porous Layer Substrates Made by the Smart Cut Technology for Double Layer Transfer Applications
Stragier, A., Signamarcheix, T., Salvetat, T., Nol Pennington; Electrochemical Society 2010 ECS Transactions Vol.33 No.4
Performance of (110) p-channel SOI-MOSFETs fabricated by deep-amorphization and solid-phase epitaxial regrowth processes
Ohata, A., Bae, Y., Signamarcheix, T., Widiez, J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2011 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.88 No.7
Mechanisms of copper direct bonding observed by in-situ and quantitative transmission electron microscopy
Martinez, M., Legros, M., Signamarcheix, T., Bally Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 Thin Solid Films Vol.530 No.-
Electrical properties of P-MOSFETs on amorphized and regrown (110) SOI film for hybrid orientation technology
Bae, Y., Lee, J. H., Ohata, A., Signamarcheix, T. Korean Physical Society; 1999 2012 JOURNAL- KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.60 No.10
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