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Impact of the substrate lattice constant on the emission properties of InGaN/GaN short-period superlattices grown by plasma assisted MBE
Siekacz, Marcin, Wolny, Paweł, Ernst, Torsten, Grz Elsevier Science B.V., Amsterdam 2019 Superlattices and microstructures Vol.133 No.-
Optically pumped 500 nm InGaN green lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (7 pages)
Siekacz, M., Sawicka, M., Turski, H., Cywinski, G. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2011 Journal of Applied Physics Vol.110 No.6
InGaN light emitting diodes for 415 nm-520 nm spectral range by plasma assisted MBE
Siekacz, M., Szankowska, M. L., Feduniewicz-Zmuda, John Wiley & Sons, Ltd 2009 Physica Status Solidi C Vol.6//SUP2 No.-
Growth of InGaN and InGaN/InGaN quantum wells by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Siekacz, M., Feduniewicz-Zmuda, A., Cywinski, G., Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2008 Journal of crystal growth Vol.310 No.17
Electron-Electron Interaction Effects in Quantum Hall Regime of GaN/AlGaN Heterostructures
Siekacz, M., Dybko, K., Maude, D., Potemski, M., K POLISH ACADEMY OF SCIENCES WARSAW 2007 Acta Physica Polonica A Vol.112 No.2
Zero Field Spin Splitting in GaN/AlGaN Heterostructures Probed by the Weak Antilocalization
Dybko, K., Siekacz, M., Skierbiszewski, C. POLISH ACADEMY OF SCIENCES WARSAW 2008 Acta Physica Polonica A Vol.114 No.5
Role of nonequivalent atomic step edges in the growth of InGaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy [8625-77]
Turski, H., Siekacz, M., Sawicka, M., Wasilewski, International Society for Optical Engineering; 1999 2013 Proceedings of SPIE, the International Society for Vol.8625 No.-
True-blue nitride laser diodes grown by plasma assisted MBE on low dislocation density GaN substrates [8625-35]
Turski, H., Siekacz, M., Muziot, G., Sawicka, M., International Society for Optical Engineering; 1999 2013 Proceedings of SPIE, the International Society for Vol.8625 No.-
High power nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
Muziol, G., Siekacz, M., Turski, H., Wolny, P., Gr Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2015 Journal of crystal growth Vol.425 No.-
AlGaN-Free Laser Diodes by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Skierbiszewski, C., Siekacz, M., Turski, H., Muzio JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS 2012 Applied Physics Express Vol.5 No.2
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