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A case study for XPD in the presence of a compositional depth profile: interface formation between metals (Ag,Al) and HgCdTe
Seelmann-Eggebert, M. ELSEVIER 1993 Surface science Vol.287-288 No.1
A Systematic State-Space Approach to Large-Signal Transistor Modeling
Seelmann-Eggebert, M., Merkle, T., van Raay, F., Q IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2007 IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniqu Vol.55 No.2
On the Accurate Measurement and Calibration of S-Parameters for Millimeter Wavelengths and Beyond
Seelmann-Eggebert, M., Ohlrogge, M., Weber, R., Pe IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2015 IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniqu Vol.63 No.7
Heat-spreading diamond films for GaN-based high-power transistor devices
Seelmann-Eggebert, M. ELSEVIER 2001 Diamond and related materials Vol.10 No.3-7
Plasma cleaning and nitridation of sapphire substrates for Al~xGa~1~-~xN epitaxy as studied by x-ray photoelectron diffraction
Seelmann-Eggebert, M. SLACK INCORPORATED 1998 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.16 No.4
Structural characterization of the (111) surfaces of CdZnTe and HgCdTe epilayers by x‐ray photoelectron diffraction
Seelmann‐Eggebert, M.Richter, H. J. AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1991 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.9 No.3
Polarity of (00.1) GaN Epilayers Grown on a (00.1) Sapphire
Seelmann-Eggebert. M.,Weyher, J. L.,Obloh, H. American Institute of Physics 1997 Applied Physics Letters Vol.71 No.18
Effect of cleanings on the composition of HgCdTe surfaces
Seelmann‐Eggebert, M.,Carey, G.,Krishnamurthy, V.H AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1992 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.10 No.4
Photoemission spectroscopic techniques to assess physical and chemical properties of mercury cadmium telluride
Seelmann‐Eggebert, M. AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1992 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.10 No.4
Monolayer-resolved x-ray-excited Auger-electron diffraction from single-plane emission in GaAs
Seelmann-Eggebert, M. AMERICAN PHYSICAL SOCIETY 1993 Physical Review B Vol.48 No.16
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