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Electron and hole mobilities in Si/SiGe heterostructures
Schaffler, F. INSPEC PUBLICATION 2000 EMIS DATAREVIEWS SERIES Vol.24 No.-
Gallium doping of silicon molecular beam epitaxial layers at low temperatures and under Si+ ion bombardment
F. SchAffler, H. Jorke Elsevier BV * North-Holland 1990 Thin Solid Films Vol.184 No.1-2
Thermal Annealing of Modulation-Doped Si/SiGe Heterostructures with High Electron Mobilities
Schaffler, F.,Jorke, H. American Institute of Physics 1991 Applied Physics Letters Vol.58 No.4
Kinetic and strain-driven growth phenomena on Si(001)
Schaffler, F. PAN, 2003 CONFERENCE PROCEEDINGS AND MONOGRAPHS- SCIENTIFIC Vol.3 No.-
Bankenhaftung wegen Insolvenzverschleppung bei Auskehrung von Krediten in der Unternehmenskrise
Schaffler, F. VERLAG RECHT UND WIRTSCHAFT GMBH 2006 Der Betriebs-berater Vol.61 No.2
Subband spectroscopy at room temperature
F. Schaffler, F. Koch Pergamon Press 1981 Solid state communications Vol.37 No.4
High Electron Mobility in Modulation-Doped Si/SiGe Quantum Well Structures
Schuberth, G.,Schaffler, F.,Bessoon, M. American Institute of Physics 1991 Applied Physics Letters Vol.59 No.25
Photoluminescence of High-Quality SiGe Quantum Wells Grown by Molecular Beam Epitaxy
Wachter, M.,Schaffler, F.,Herzog, H.-J. American Institute of Physics 1993 Applied Physics Letters Vol.63 No.3
Self-assembled Si and SiGe nanostructures: New growth concepts and structural analysis
Bauer, G., Schaffler, F. John Wiley & Sons, Ltd 2006 Physica Status Solidi. A Vol.203 No.14
Misfit dislocation nucleation and multiplication in fully strained SiGe/Si heterostructures under thermal annealing
Rzaev, M., Schaffler, F., Vdovin, V., Yugova, T. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING Vol.8 No.1-3
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