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Specific features of formation of GaAs nanowire crystals during molecular beam epitaxy on different silicon surfaces
Samsonenko, Y. B., Cirlin, G., Egorov, V. A., Poly Springer Science + Business Media 2008 Semiconductors Vol.42 No.12
Study of processes of self-catalyzed growth of gaas crystal nanowires by molecular-beam epitaxy on modified Si (111) surfaces
Samsonenko, Y. B., Cirlin, G. E., Khrebtov, A. I. Springer Science + Business Media 2011 Semiconductors Vol.45 No.4
The Engineering and Properties of InAs Quantum Dot Molecules in a GaAs Matrix
Samsonenko, Y. B., Cirlin, G. E., Tonkikh, A. A., AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2005 Semiconductors Vol.39 No.1
A3B5 nanowhiskers: MBE growth and properties
Cirlin, G. E., Tonkikh, A. A., Samsonenko, Y. B., Institute of Physics, Academy of Sciences of the Czech Republic 2006 Czechoslovak Journal of Physics Vol.56 No.1
Growth of single GaAs nanowhiskers on the tip of a tungsten needle and their electrical properties
Golubok, A. O., Samsonenko, Y. B., Mukhin, I. S., Springer Science + Business Media 2011 Semiconductors Vol.45 No.8
Sharp emission from single InAs quantum dots grown on vicinal GaAs surfaces (3 pages)
Perinetti, U., Akopian, N., Samsonenko, Y.B., Bour AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2009 Applied Physics Letters Vol.94 No.16
Structural and Optical Properties of InAs Quantum Dots in AlGaAs Matrix
Sizov, D. S., Samsonenko, Y. B., Tsyrlin, G. E., P AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2003 Semiconductors Vol.37 No.5
Directional emission from beryllium doped GaAs/AlGaAs nanowires
Talalaev, V. G., Shtrom, I. V., Samsonenko, Y. B. Springer Science + Business Media 2017 TECHNICAL PHYSICS LETTERS C/C OF PIS'MA V ZHURNAL Vol.43 No.9
Surface passivation of GaAs nanowires by the atomic layer deposition of AlN
Shtrom, I. V., Bouravleuv, A. D., Samsonenko, Y. B Springer Science + Business Media 2016 Semiconductors Vol.50 No.12
Localization of Holes in an InAs/GaAs Quantum-Dot Molecule
Sobolev, M. M., Cirlin, G. E., Samsonenko, Y. B., AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2005 Semiconductors Vol.39 No.1
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