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Impact Ionization Noise in SiGe HBTs: Comparison of Device and Compact Modeling With Experimental Results
Sakalas, P., Ramonas, M., Schroter, M., Jungemann, IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2009 IEEE transactions on electron devices Vol.56 No.2
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Microwave noise in III-V- and SiGe-based HBTs: comparison, trends, and numbers (Invited Paper) [5470-14]
Sakalas, P., Schroter, M., Zampardi, P., Racanelli Bellingham, Washington; SPIE 2004 Progress in Biomedical Optics and Imaging Vol.5470 No.-
Modelling of SiGe Power HBT Intermodulation Distortion using HICUM
Sakalas, P., Schroter, M., Kornau, L., Kraus, W., Frontier Group 2003 ESSDERC -CONFERENCE- Vol.33 No.-
Microwave Noise Sources in AlGaAs/GaAs HBTs
Sakalas, P., Schroter, M., Zampardi, P., Zirath, H IEEE; 1999 2002 IEEE MTT-S International Microwave Symposium diges Vol.3 No.-
Size Dependent Influence of the Pad and Gate Parasitic Elements to the Microwave and Noise Performance of the 0.35 mum and p type MOSFETs
Sakalas, P., Zirath, H., Schroter, A. L. M., Matul Nexus Media Limited; 1996 2001 European Microwave Conference Vol.31 No.1
Impact of Pad and Gate Parasitics on Small-Signal and Noise Modeling of 0.35 mum Gate Length MOS Transistors
Sakalas, P., Zirath, H., Litwin, A., Schroter, M. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2002 IEEE transactions on electron devices Vol.49 No.5
Sakalas, P., Schroter, M., Zampardi, P., Racanelli International Society for Optical Engineering; 1999 2004 Progress in Biomedical Optics and Imaging Vol.- No.5470
(The) Thirteenth amendment-freedom given, freedom taken
Sakalas, Joan M. unknown 1996 Union Seminary quarterly review Vol.50 No.sup
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