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Rouchon, D., Becerra, L., Renault, O., Kaja, K., M AIP American Institute of Physics 2010 AIP Conference Proceedings Series Vol.1267 No.-
Strain characterization of Si/SiGe heterostructures and strained silicon on insulator (s-SOI) wafers
Rouchon, D., Hartmann, J.M., Crisci, A., Mermoux, unknown 2009 INTERNATIONAL CONFERENCE ON RAMAN SPECTROSCOPY Vol.21 No.-
UV and Visible Raman Spectroscopy Applied to s-Si/Si1-xGex and s-SOI Multilayer Systems
Rouchon, D., Hartmann, J., Crisci, A., Mermoux, M. New York; Electrochemical Society 2008 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.214 No.6
Study of ultrathin silicon oxide films by FTIR-ATR and ARXPS after wet chemical cleaning processes
Rouchon, D., Rochat, N., Gustavo, F., Chabli, A., JOHN WILEY & SONS LTD 2002 Surface and interface analysis Vol.34 No.1
Strain in Epitaxial Si/SiGe Graded Buffer Structures Grown on Si (100), Si (110) and Si(111): a Raman Spectroscopy Study
Rouchon, D., Destefanis, V., Hartmann, J., Crisci, New York; Electrochemical Society 2008 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.214 No.6
Germanium content and strain in Si1−xGex alloys characterized by Raman spectroscopy
Rouchon, D., Mermoux, M., Bertin, F., Hartmann, J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 Journal of crystal growth Vol.392 No.-
Observable Systems Transformable into Implicit Affine Forms
Guillaume, D., Rouchon, P. Pergamon 1998 NONLINEAR CONTROL SYSTEMS DESIGN Vol.4 No.2
Graphene monolayer produced on Pt reusable substrates for transparent conductive electrodes applications
L. Golanski , D. Rouchon , H. Okuno , P. Fugier Inderscience Publishers 2016 INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY Vol.13 No.8-9
Structural Properties of Tensile-Strained Si Layers Grown on Si~1~-~xGe~x Virtual Substrates (x = 0.2, 0.3, 0.4 and 0.5)
Hartmann, J., Rouchon, D., Barnes, J., Mermoux, M. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2007 ECS Transactions Vol.6 No.4
Structural properties of tensily strained Si layers grown on SiGe(100), (110), and (111) virtual substrates (10 pages)
Destefanis, V., Rouchon, D., Hartmann, J.M., Papon AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2009 Journal of Applied Physics Vol.106 No.4
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