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Sub‐100‐nm gate length GaAs metal–semiconductor field‐effect transistors and modulation‐doped field‐effect transistors fabricated by a combination of molecular‐beam epitaxy and electron‐beam lithography
Allee, D. R.,de la Houssaye, P. R.,Schlom, D. G.,H AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1988 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.6 No.1
Minimal renormalization without E-expansion: Critical behavior in three dimensions
R. Schloms, V. Dohm Elsevier BV * North-Holland - Nuclear Physics, Section B Vol.311 No.3
Experimental Investigation to Improve the Aerodynamic Performance of a Supercritical Airfoil in a Linear Cascade (IGTC-1)
Loesch-Schloms, R., Gallus, H. E., Katoh, Y., Kash The Society 1995 PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL GAS TURBINE CONGR Vol.2 No.-
NONUNIVERSAL CRITICAL-BEHAVIOR ALONG THE LAMBDA-LINE OF HE-4
R. Schloms, J. Eggers, V. Dohm Institute of Pure and Applied Physics 1987 Japanese Journal of Applied Physics Vol.26 No.-
High efficiency turbogears for gas turbines - First operating experiences
Losch-Schloms, R.,Mathis, A. Conseil International des Machines a combustion 1998 INTERNATIONAL CONGRESS ON COMBUSTION ENGINES Vol.2 No.22
Pipelinekompressoren im industriellen Einsatz - Standardisierungsprozesse heben Kosten - und Lieferzeitpotentiale
Losch-Schloms, R.,Jakiel, C.,Stark, M.,Jordan, K. VDI 2001 VDI Berichte Vol.1640 No.-
Orienting ferroelectric films
Ramesh, R.,Schlom, D. G. AMERICAN ASSOCIATION FOR THE ADVANCEMENT OF SCIENCE 2002 Science Vol.296 No.5575
MATERIALS SCIENCE: Orienting Ferroelectric Films
Ramesh, R., Schlom, D. G. AMERICAN ASSOCIATION FOR THE ADVANCEMENT OF SCIENCE 2002 Science Vol.296 No.5575
Whither Oxide Electronics?
Ramesh, R., Schlom, D.G. MRS MATERIALS RESEARCH SOCIETY 2008 MRS Bulletin Vol.33 No.11
IR lasers as tools for the future
Herziger, G., Schloms, R. Elsevier Science 1994 INFRARED PHYSICS AND TECHNOLOGY Vol.36 No.1
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