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High rate electron cyclotron resonance etching of GaN, InN, and AlN
Shul, R. J.,Howard, A. J.,Pearton, S. J.,Abernathy AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1995 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.13 No.5
Cross-section measurements for electron-impact ionization of atoms
R. S. Freund,R. C. Wetzel,R. J. Shul,T. R. Hayes AMERICAN PHYSICAL SOCIETY 1990 Physical Review A Vol.41 No.7
Wet chemical Etching of AlN
Mileham, J. R.,Pearton, S. J.,Shul, R. J. American Institute of Physics 1995 Applied Physics Letters Vol.67 No.8
Application of resonant subwavelength gratings to a rotary position encoder [7604-24]
Boye, R.R., Peters, D.W., Wendt, J.R., Shul, R.J. International Society for Optical Engineering; 1999 2010 Progress in Biomedical Optics and Imaging Vol.7604 No.-
Hydrogen Incorporation into III-V Nitrides during Processing
Pearton, S. J.,Shul, R. J.,Wilson, R. G.,Zavada, J The Society 1995 EXTENDED ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL D Vol.- No.2
Process development for III–V nitrides
Pearton, S. J.,Abernathy, C. R.,Ren, F.,Shul, R. J Elsevier 1996 Materials Science and Engineering B Vol.38 No.1-2
Anisotropic, Smooth High-Density Plasma Etching of GaN/AlGaN for Etch Facet Laser Applications
Shul, R.J., Miller, M., Crawford, M., Stevens, J. New York; Electrochemical Society 2008 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.214 No.5
Anisotropic ECR etching of benzocyclobutene
Shul, R. J. IEE 1995 Electronics Letters Vol.31 No.22
Deep High-Aspect Ratio Si Etching For Advanced Packaging Technologies
Shul, R. J., Willison, C. G., Sullivan, C. T., Kra Electrochemical Society 1998 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.- No.2
Comparison of dry etch techniques for GaN
Shul, R. J. IEE 1996 Electronics Letters Vol.32 No.15
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