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Transconductance, carrier mobility and 1/f noise in Si/Si~0~.~6~4Ge~0~.~3~6/Si pMOSFETs
Prest, M. J.,Palmer, M. J.,Grasby, T. J.,Phillips, Elsevier 2002 Materials Science and Engineering B Vol.89 No.1-3
Strain enhanced electron cooling in a degenerately doped semiconductor (4 pages)
Prest, M.J., Muhonen, J.T., Prunnila, M., Gunnarss AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2011 Applied Physics Letters Vol.99 No.25
Transconductance, carrier mobility and 1/f noise in Si/Si0.64Ge0.36/Si pMOSFETs
Prest, M. J., Palmer, M. J., Grasby, T. J., Philli Elsevier; 1999 2002 Materials Science and Engineering B Vol.89 No.1-3
Strain dependence of electron-phonon energy loss rate in many-valley semiconductors (3 pages)
Muhonen, J.T., Prest, M.J., Prunnila, M., Gunnarss AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2011 Applied Physics Letters Vol.98 No.18
Fully Pseudomorphic Si/SiGe/Si Schottky Source-Drain pMOSFET
Prest, M. J., Grasby, T. J., Parker, E. H. C., Wha Pennington, NJ:; ECS, 2004 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.7 No.-
Low Frequency Noise Mechanisms in Si and Pseudomorphic SiGe p-Channel Field-Effect Transistors
Prest, M. J., Fulgoni, D. J. F., Bacon, A. R., Gra Pennington, NJ:; ECS, 2004 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.7 No.-
Tuning of a superconducting microwave resonator at 77 K using an integrated micromachined silicon vertical actuator
Prest, M.J., Wang, Y., Huang, F., Lancaster, M.J. Institute of Physics Publishing; 1999 2010 Journal of micromechanics and microengineering Vol.20 No.9
Low-frequency noise mechanisms in Si and pseudomorphic SiGe p-channel field-effect transistors
Prest, M. J., Bacon, A. R., Fulgoni, D. J. F., Gra AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2004 Applied Physics Letters Vol.85 No.24
Silicon comb-drive actuators for low-temperature tuning of superconducting microwave circuits
Prest, M.J., Wang, Y., Huang, F., Lancaster, M.J. Institute of Physics Publishing; 1999 2008 Journal of micromechanics and microengineering Vol.18 No.12
Superconducting platinum silicide for electron cooling in silicon
Prest, M.J., Richardson-Bullock, J.S., Zhao, Q.T. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2015 Solid-State Electronics Vol.103 No.-
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