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Pouydebasque, A. Springer; 1999 2001 Springer Proceedings in Physics Vol.87 No.2
Electron transport in silicon nanostructures based on ultra-thin SOI
Pouydebasque, A., Montes, L., Zimmermann, J., Bale Les Ulis; EDP Sciences; 1999 2002 The European Physical Journal. Special Topics Vol.12 No.3
Pouydebasque, A.,Montes, L.,Zimmermann, J.,Balestr EDP Sciences 2002 The European Physical Journal. Special Topics Vol.12 No.3
High-Performance High-K/Metal Planar Self-Aligned Gate-All-Around CMOS Devices
Pouydebasque, A., Denorme, S., Loubet, N., Wacquez IEEE 2008 IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY Vol.7 No.5
Experimental Evidence of Sidewall Enhanced Transport Properties of Mesa-Isolated (001) Germanium-On-lnsulator pMOSFETs
Pouydebasque, A., Romanjek. K., Le Royer, C, Tabon IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2009 IEEE transactions on electron devices Vol.56 No.12
Varifocal liquid lenses with integrated actuator, high focusing power and low operating voltage fabricated on 200mm wafers
Pouydebasque, A., Bridoux, C., Jacquet, F., Moreau Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2011 Sensors and actuators. A Physical Vol.172 No.1
28.3 High Density and High Speed SRAM Bit-Cells and Ring Oscillators due to Laser Annealing for 45nm Bulk CMOS
Pouydebasque, A., Dumont, B., Denorme, S., Wacquan IEEE; 1998 2005 Technical digest Vol.- No.-
Pouydebasque, A., Dumont, B., Denorme, S., Wacquan Institute of Electrical and Electronics Engineers 2005 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING Vol.2005 No.-
Refinement of the Subthreshold Slope Modeling for Advanced Bulk CMOS Devices
Pouydebasque, A., Charbuillet, C., Gwoziecki, R., IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2007 IEEE transactions on electron devices Vol.54 No.10
Electron phase coherence length in a lattice of antidots
Pouydebasque, A. 00 2001 Physica. B, Condensed matter Vol.298 No.1-4
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