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Plumton, G., Adjei, I., Martin-Pena, A., Palmer, G Elsevier Science B.V., Amsterdam 2016 Osteoarthritis and Cartilage Vol.24 No.-
Isolated emitter AlGaAs/GaAs HBT integrated with emitter-down HI
Plumton, D. L.,Chang, C. T. M.Woods, B. O. IEEE 1989 IEEE electron device letters Vol.10 No.11
(A)low on-resistance, high-current GaAs power VFET
Plumton, D. L.,Yuan, H. T.,Kim, T. S.,Taddiken, A. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1995 IEEE electron device letters Vol.16 No.4
A Low On-Resistance, High-Current GaAs Power VFET
Plumton, D. L. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1995 IEEE electron device letters Vol.16 No.4
Planar AlGaAs/GaAs HBT fabricated by MOCVD overgrowth with a grown base
Plumton, D. L., et al. IEEE 1990 IEEE transactions on electron devices Vol.37 No.5
AlGaAs/GaAs emitter-down HBT fabricated by MBE overgrowth
D.L. Plumton, H.D. Shih, F.J. Morris [Institution of Electrical Engineers] 1989 Electronics Letters Vol.25 No.18
Phase transformations in ion irradiated Ti-6242s alloys
D.L. Plumton , G.L. Kulcinski , R.A. Dodd ELSEVIER 1987 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS Vol.144 No.3
Radiation induced precipitation in 9 MeV Al ion irradiated Ti-6A1-4V
Conditions for the suppression of void formation during ion-bombardment
D.L. Plumton , H. Attaya , W.G. Wolfer ELSEVIER 1984 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS Vol.122 No.1-3
Suppression of void nucleation by injected interstitials during heavy ion bombardment
D.L. Plumton , W.G. Wolfer ELSEVIER 1984 JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS Vol.120 No.2-3
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