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Single transistor technique for interface trap density measurement in irradiated MOS devices
Pershenkov, V.S. ELSEVIER SCIENCE LTD 1999 Microelectronics and reliability Vol.39 No.4
Three-Point Method of Prediction of MOS Device Response in Space Environments
Pershenkov, V. S. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1993 IEEE transactions on nuclear science Vol.40 No.6
The effect of emitter junction bias on the low dose-rate radiation response of bipolar devices
Pershenkov, V.S Professional Technical Group on Nuclear Science 1997 IEEE transactions on nuclear science Vol.44 No.6
The Effect of Junction Fringing Field on Radiation-Induced Leakage Current in Oxide Isolation Structures and Nonuniform Damage Near the Channel Edges in MOSFETs
Pershenkov, V. S. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1994 IEEE transactions on nuclear science Vol.41 No.6
Proposed two-level acceptor-donor (AD) center and the nature of switching traps in irradiated
Pershenkov, V.S Professional Technical Group on Nuclear Science 1996 IEEE transactions on nuclear science Vol.43 No.6
``True'' Dose Rate Effect of the ELDRS Conversion Model
Pershenkov, V. S., Bakerenkov, A. S., Telets, V. A Springer 2019 IFMBE PROCEEDINGS Vol.2020 No.77
Mechanism of the Saturation of the Radiation Induced Interface Trap Buildup
Pershenkov, V.S., Bakerenkov, A.S., Solomatin, A.V TRANS TECH PUBLICATIONS LTD 2014 Applied Mechanics and Materials Vol.565 No.-
Effect of elevated temperature irradiation on bipolar devices for space application
Pershenkov, Viacheslav S., Telets, Vitaliy A., Bak Taylor & Francis 2019 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS Vol.174 No.3-4
Fast Switched-Bias Annealing of Radiation-Induced Oxide-Trapped Charge and Its Application for Testing of Radiation Effects in MOS Structures
The Effect of Emitter Junction Bias on the Low Dose-Rate Radiation Response of Bipolar Devices
Pershenkov, V. S. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1997 IEEE transactions on nuclear science Vol.44 No.6/1
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