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Thermal instability and the growth of the InGaAs/AlGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor system (3 pages)
Pellegrino, J. G., Qadri, S. B., Mahadik, N. A., R AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2007 Applied Physics Letters Vol.90 No.11
Buffer layer-modulation-doped field-effect-transistor interactions in the Al~0~.~3~3Ga~0~.~6~7As/GaAs superlattice system
Pellegrino, J. G. SLACK INCORPORATED 1995 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.13 No.3/1
Pellegrino, J. G., Richter, C. A., Dura, J. A., Am American Institute of Physics 1994 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.13 No.3--1
Interface sharpness during the initial stages of growth of thin, short-period III-V superlattices
Pellegrino, J. G. SLACK INCORPORATED 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.11 No.4/1
Buffer layer–modulation‐doped field‐effect‐transistor interactions in the Al0.33Ga0.67As/GaAs superlattice system
Pellegrino, J. G.,Richter, C. A.,Dura, J. A.,Amirt AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1995 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.13 No.3
Interface sharpness during the initial stages of growth of thin, short‐period III–V superlattices
Pellegrino, J. G.,Qadri, S. B.,Cotell, C. M.,Amirt AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.11 No.4
HOT MWIR HgCdTe performance on CZT and alternative substrates (Invited Paper) [8353-90]
Pellegrino, J.G., DeWames, R., Perconti, P., Billm International Society for Optical Engineering; 1999 2012 Proceedings of SPIE, the International Society for Vol.8353 No.2
Reviving demand-pull perspectives: The effect of demand uncertainty and stagnancy on R&D strategy
García-Quevedo, J., Pellegrino, G., Savona, M. Oxford University Press 2017 Cambridge journal of economics Vol.41 No.4
Strain and Relaxation in InAs and InGaAs Films Grown on GaAs(001)
Woicik, J. C.,Miyano, K. E.,Pellegrino, J. G. American Institute of Physics 1996 Applied Physics Letters Vol.68 No.21
X-Ray Reflectivity Determination of Interface Roughness Correlated with Transport Properties of (AlGa)As/GaAs High electron Mobility transistor Devices
Dura, J.A.,Pellegrino, J.G.,Richter, C.A. American Institute of Physics 1996 Applied Physics Letters Vol.69 No.8
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