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Buffer layer–modulation‐doped field‐effect‐transistor interactions in the Al0.33Ga0.67As/GaAs superlattice system
Pellegrino, J. G.,Richter, C. A.,Dura, J. A.,Amirt AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1995 Journal of Vacuum Science & Technology A Vol.13 No.3
Interface sharpness during the initial stages of growth of thin, short‐period III–V superlattices
Pellegrino, J. G.,Qadri, S. B.,Cotell, C. M.,Amirt AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1993 Journal of Vacuum Science & Technology A Vol.11 No.4
HOT MWIR HgCdTe performance on CZT and alternative substrates (Invited Paper) [8353-90]
Pellegrino, J.G., DeWames, R., Perconti, P., Billm International Society for Optical Engineering; 1999 2012 Proceedings of SPIE, the International Society for Vol.8353 No.2
Buffer layer-modulation-doped field-effect-transistor interactions in the Al~0~.~3~3Ga~0~.~6~7As/GaAs superlattice system
Pellegrino, J. G. SLACK INCORPORATED 1995 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.13 No.3/1
Interface sharpness during the initial stages of growth of thin, short-period III-V superlattices
Pellegrino, J. G. SLACK INCORPORATED 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.11 No.4/1
Pellegrino, J. G., Richter, C. A., Dura, J. A., Am American Institute of Physics 1994 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.13 No.3--1
Thermal instability and the growth of the InGaAs/AlGaAs pseudomorphic high electron mobility transistor system (3 pages)
Pellegrino, J. G., Qadri, S. B., Mahadik, N. A., R AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2007 Applied Physics Letters Vol.90 No.11
Reviving demand-pull perspectives: The effect of demand uncertainty and stagnancy on R&D strategy
García-Quevedo, J., Pellegrino, G., Savona, M. Oxford University Press 2017 Cambridge journal of economics Vol.41 No.4
Optimal growth interrupts for very high quality InGaAs(P)/InP superlattices grown by MOVPE
Landgren, G.,Wallin, J.Pellegrino, S. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1992 Journal of Electronic Materials Vol.21 No.1
X-Ray Reflectivity Determination of Interface Roughness Correlated with Transport Properties of (AlGa)As/GaAs High electron Mobility transistor Devices
Dura, J.A.,Pellegrino, J.G.,Richter, C.A. American Institute of Physics 1996 Applied Physics Letters Vol.69 No.8
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